CMS-RH-BYB-05VL (訂貨號 113210)配有霍爾傳感器的CMS讀頭 - 設計B優(yōu)點(diǎn)：

結合評估單元CMS-E-ER/CMS-E-FR使用

36 x 26 mm方形設計

1個(gè)LED

PVC材質(zhì)硬接線(xiàn)封裝電纜，5 m

由霍爾效應的原理知，霍爾電勢的大小取決于:Rh為霍爾常數，它與半導體材質(zhì)有關(guān);I為霍爾元件的偏置電流;B為磁場(chǎng)強度;d為半導體材料的厚度。

對于一個(gè)給定的霍爾器件，當偏置電流 I 固定時(shí)，UH將*取決于被測的磁場(chǎng)強度B。

一個(gè)霍爾元件一般有四個(gè)引出端子，其中兩根是霍爾元件的偏置電流 I 的輸入端，另兩根是霍爾電壓的輸出端。如果兩輸出端構成外回路，就會(huì )產(chǎn)生霍爾電流。一般地說(shuō)，偏置電流的設定通常由外部的基準電壓源給出;若精度要求高，則基準電壓源均用恒流源取代。為了達到高的靈敏度，有的霍爾元件的傳感面上裝有高導磁系數的鍍膜合金;這類(lèi)傳感器的霍爾電勢較大，但在0.05T左右出現飽和，僅適用在低量限、小量程下使用。

在半導體薄片兩端通以控制電流I，并在薄片的垂直方向施加磁感應強度為B的勻強磁場(chǎng)，則在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上，將產(chǎn)生電勢差為UH的霍爾電壓。

CMS-RH-BYB-05VL霍爾傳感器工作原理：

磁場(chǎng)中有一個(gè)霍爾半導體片，恒定電流I從A到B通過(guò)該片。在洛侖茲力的作用下，I的電子流在通過(guò)霍爾半導體時(shí)向一側偏移，使該片在CD方向上產(chǎn)生電位差，這就是所謂的霍爾電壓。

霍爾電壓隨磁場(chǎng)強度的變化而變化，磁場(chǎng)越強，電壓越高，磁場(chǎng)越弱，電壓越低，霍爾電壓值很小，通常只有幾個(gè)毫伏，但經(jīng)集成電路中的放大器放大，就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用，需要用機械的方法來(lái)改變磁感應強度。下圖1所示的方法是用一個(gè)轉動(dòng)的葉輪作為控制磁通量的開(kāi)關(guān)，當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時(shí)，磁場(chǎng)偏離集成片，霍爾電壓消失。這樣，霍爾集成電路的輸出電壓的變化，就能表示出葉輪驅動(dòng)軸的某一位置，利用這一工作原理，可將霍爾集成電路片用于點(diǎn)火正時(shí)傳感器?；魻栃獋鞲衅鲗儆诒粍?dòng)型傳感器，它要有外加電源才能工作，這一特點(diǎn)使它能檢測轉速低的運轉情況。

霍爾效應傳感器技術(shù)特點(diǎn)：

1-霍爾半導體元件 2-磁鐵 3-擋隔磁力線(xiàn)的葉片

霍爾效應

霍爾效應從本質(zhì)上講是運動(dòng)的帶電粒子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用引起的偏轉。當帶電粒子(電子或空穴)被約束在固體材料中，這種偏轉就導致在垂直電流和磁場(chǎng)的方向上產(chǎn)生正負電荷的聚積，從而形成附加的橫向電場(chǎng)。對于圖2所示的半導體試樣，若在X方向通以電流Is，在Z方向加磁場(chǎng)B，則在Y方向即試樣A，A′電極兩側就開(kāi)始聚積異號電荷而產(chǎn)生相應的附加電場(chǎng)。電場(chǎng)的指向取決定于測試樣品的電類(lèi)型。顯然，該電場(chǎng)是阻止載流子繼續向側面偏移，

當載流子所受的橫向電場(chǎng)力eEH與洛侖茲力相等時(shí)，樣品兩側電荷的積累就達到平衡，故有

⑴

其中EH為霍爾電場(chǎng)，V是載流子在電流方向上的平均漂移速度。設試樣的寬為b，厚度為d，載流子濃度為n，則

⑵

由⑴、⑵兩式可得

⑶

即霍爾電壓VH(A、A′電極之間的電壓)與ISB乘積正比與試樣厚度d成反比。比例系數 稱(chēng)為霍爾系數，它是反映材料霍爾效應強弱的重要參數，只要測出 VH(伏)以及知道IIs(安)、B(高斯)和d(厘 米)可按下式計算RH(厘米3/庫侖)

圖

工作圖，設計B

CMS-RH-BYB

• 典型工作距離

• 典型工作距離